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    本發明之目的係提供一種在電子裝置之構裝製程，即使是於室溫以上至80℃以下，不進行硬化，也能在作業無發生問題之電子裝置用密封劑組成物。本發明係關於一種包含（a）具有2個以上之（甲基）丙烯醯基之化合物、（b）馬來酸酐縮亞胺化合物和（c）硝基氧化合物及／或硫代羰基硫代化合物之電子裝置用密封劑組成物。
    公开号:TW201321488A
    申请号:TW101131697
    申请日:2012-08-31
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Yusuke Horiguchi；Kenichiro Sato；Mieko Sano
    申请人:Henkel Ag & Co Kgaa；
    IPC主号:C08F222-00
    专利说明:
    電子裝置用密封劑組成物
    本發明係關於一種可以使用在電子裝置、特別是半導體裝置之製造組成物以及該組成物之使用。 【背景技術】
    作為半導體晶片之構裝技術已習知半導體晶片呈直接地連接在基板上之覆晶技術。在該覆晶構裝，透過形成於半導體晶片之元件形成面側之電極(凸塊)而連接半導體晶片和配線基板。此時，為了接合部分之補強或連接可靠性之提升等，因此，一般在半導體晶片和配線基板之間，進行接著劑組成物之底膠材之填充。
    作為底膠用組成物已習知包含環氧系化合物及/或(甲基)丙烯系化合物等之接著劑組成物(例如專利文獻1等)。在這些當中，組成物係利用(甲基)丙烯化合物之自由基硬化反應，組成物係具有比起包含環氧系化合物之組成物，反應速度更加地迅速，可以提高電子裝置之製造效率之優點。
    作為底膠材之填充方法已習知：在配線基板上塗佈液體狀之接著劑組成物後，搭載半導體晶片，同時進行電極之結合和密封之方法；在進行半導體晶片上之電極和基板之電連接之後，在晶片之某一邊或複數邊，塗佈液體狀之接著劑組成物，利用毛細管現象而密封配線基板和半導體晶片之間隙之方法(所謂毛細管方式)等。在這些方法將液體狀之接著劑組成物，遍佈地塗佈於配線基板上；在半導體晶片和配線基板之間隙，均勻地填充液體狀之接著劑組成物等。因此，也配合需要，藉由加熱使用於接著劑塗佈之注射器或基板等至室溫以上，而提高接著劑組成物之流動性。
    但是，將利用自由基硬化反應之底膠材予以使用之時，在進行密封之前，進行底膠用組成物之硬化反應，發生無法良好地進行電極之結合或者是作業效率變差之問題。這些問題係特別如前述，容易發生於接著劑組成物在室溫以上狀態之情況下。為了解決該問題，故於底膠用組成物混合添加劑，或者降低作業時之溫度，但是，無法充分地進行。因此，要求使用於電子裝置之接著劑組成物需更加改善。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
    〔專利文獻1〕日本特開2010-226098號公報
    本發明之目的係提供一種組成物，解決在使用習知之接著劑組成物之狀態下之前述問題點，提高電子裝置之生產性。此外，以提供包含該組成物之電子裝置或電子機器作為目的。
    本發明係關於以下之事項。
    1.一種電子裝置用密封劑組成物，其特徵為：包含(a)具有2個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物、(b)馬來酸酐縮亞胺化合物和(c)硝基氧化合物及/或硫代羰基硫代化合物。
    2.前述(1)所記載之組成物係包含自由基起始劑。
    3.前述(1)或(2)所記載之組成物係包含雙馬來酸酐縮亞胺。
    4.前述(1)至(3)中任一項所記載之組成物使用作為底膠材。
    5.前述(1)至(4)中任一項所記載之組成物使用在覆晶構裝。
    6.一種電子裝置係包含前述(1)至(5)中任一項所記載之組成物。
    7.一種電子機器係前述(6)所記載之電子裝置。
    本發明之組成物充分地控制在室溫以上至80℃以下之硬化反應之進行。因此，本發明之組成物係可以在半導體晶片之覆晶構裝，使其不會造成電極結合之不良原因，並且，確保構裝製程之充分作業時間。可以藉此因覆晶構裝而降低電子裝置之生產效率，提供更高品質之製品。【發明之實施形態】
    本發明之電子裝置用密封劑組成物，係至少包含(a)具有2個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物、(b)馬來酸酐縮亞胺化合物和(c)硝基氧化合物及/或硫代羰基硫代化合物。以下，就各成分進行說明。 <(a)具有2個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物>
    本發明之組成物係包含具有2個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物(以下，亦記載為成分(a)。)作為(甲基)丙烯化合物。通常，最佳者為具有2個之(甲基)丙烯醯基之化合物，配合需要而加入具有1個之(甲基)丙烯醯基之化合物及/或具有3個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物使用。此外，(甲基)丙烯化合物係可以是單體，也可以是寡聚物。
    作為可以使用於本發明之(甲基)丙烯化合物係並無限定，但是，例如作為具有單官能之(甲基)丙烯醯基之化合物係列舉苯基苯酚丙烯酸酯、甲氧基聚乙烯丙烯酸酯、丙烯醯氧基乙基琥珀酸酯、脂肪酸丙烯酸酯、甲基丙烯醯氧基乙基苯二甲酸、苯氧基乙二醇甲基丙烯酸酯、脂肪酸甲基丙烯酸酯、β-羧基乙基丙烯酸酯、異冰片丙烯酸酯、異丁基丙烯酸酯、叔-丁基丙烯酸酯、羥基乙基丙烯酸酯、羥基丙基丙烯酸酯、二氫化環戊二乙基丙烯酸酯、環己基甲基丙烯酸酯、叔-丁基甲基丙烯酸酯、二甲基胺基乙基甲基丙烯酸酯、二乙基胺基乙基甲基丙烯酸酯、叔-丁基胺基乙基甲基丙烯酸酯、4-羥基丁基丙烯酸酯、四氫化糠基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯，作為具有2個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物係列舉己烷二醇二甲基丙烯酸酯、羥基丙烯醯氧基丙基甲基丙烯酸酯、己烷二醇二丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、雙酚A型環氧丙烯酸酯、變性環氧丙烯酸酯、脂肪酸變性環氧丙烯酸酯、胺變性雙酚A型環氧丙烯酸酯、烯丙基甲基丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A二甲基丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯、丙三醇二甲基丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯、9,9-雙(4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基)芴、三環癸烷二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、1,1,2-十二烷二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇聚丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三丙烯酸酯、聚醚三丙烯酸酯、丙三醇丙氧基三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、單季戊四醇丙烯酸酯、二季戊四醇丙烯酸酯、三季戊四醇丙烯酸酯、聚季戊四醇丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯。
    作為使用於本發明之(甲基)丙烯化合物之市面販賣品係列舉Sartomer公司之SR&CD系列之機能性單體、CN系列之機能性環氧丙烯酸酯寡聚物、機能性胺基甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物、共榮社化學股份有限公司之光酯系列、光丙烯酸酯系列、新中村化學工業股份有限公司製之NK酯類等。
    這些(甲基)丙烯化合物係可以僅使用1種，也可以組合2種以上而使用。
    在本發明，(甲基)丙烯化合物之含有量係可以根據用途而進行調製，但是，最佳者為相對於組成物之全重量而成為10~90重量%，更佳者為20~60重量%。在(甲基)丙烯化合物之含有量成為該範圍內之時，降低硬化前之黏度，作業性良好，並且，硬化後之強度也良好。 <(b)馬來酸酐縮亞胺化合物>
    本發明之組成物係包含馬來酸酐縮亞胺化合物(以下，亦記載為成分(b)。)。作為馬來酸酐縮亞胺化合物係並無特別限定，可以列舉例如以下之化合物。
    馬來酸酐縮亞胺化合物係在分子中，具有1個以上、最佳者為1個或2個之部分構造(I)：
    所表示之部分構造。R1及R2係表示H、碳數1~6之烷基，或者是R1和R2成為而表示碳數2~6之烷撐基。最好是R1及R2係一起表示H，或者是R1和R2成為而表示1,4-丁烯基。
    馬來酸酐縮亞胺化合物係最好是在室溫成為液體狀，部分構造(I)鍵結之基係馬來酸酐縮亞胺化合物成為液體狀之基，例如將具有為了使得馬來酸酐縮亞胺化合物成為液體狀之充分之長度和支鏈之支化之烷基、烷撐基、烷撐氧化物、烷撐羧基或烷撐醯胺構造等用以含有之有機基。馬來酸酐縮亞胺化合物係具有1個或2個以上之部分構造(I)。具有該基2個之化合物係雙馬來酸酐縮亞胺化合物。此外，1個之馬來酸酐縮亞胺化合物即使不是液體狀，也可混合於其他之馬來酸酐縮亞胺化合物之時或者是混合於其他之成分之時，如果組成物為液體狀的話，則也可以使用。
    馬來酸酐縮亞胺化合物係部分構造(I)鍵結於烷基或烷撐基(這些基係可以包含雙鍵、飽和脂肪族環。)，作為馬來酸酐縮亞胺化合物係列舉以下之化合物。

    特別最佳列舉硬脂醯馬來酸酐縮亞胺、油烯基馬來酸酐縮亞胺、山萮基馬來酸酐縮亞胺和10,11-二辛基二十碳烷之1,20-雙馬來酸酐縮亞胺衍生物等及其組合等。10,11-二辛基二十碳烷之1,20-雙馬來酸酐縮亞胺衍生物係可以由赫格爾(Henckel)公司，以X-BMI之製品名稱得到，由1,20-二胺基-10,11-二辛基-二十碳烷及/或其環狀異性體之二胺，按照美國專利第5973166號記載之方法合成(美國專利第5973166號揭示藉由進行參照而組合至本說明書中)。X-BMI係包含1,20-雙馬來酸酐縮亞胺-10,11-二辛基-二十碳烷{化學式(X-1)所表示之化合物}、1-庚烯馬來酸酐縮亞胺-2-辛烯馬來酸酐縮亞胺-4-辛基-5-庚基環己烷{化學式(X-2)所表示之化合物}、1,2-二辛烯馬來酸酐縮亞胺-3-辛基-4-己基環己烷{化學式(X-3)所表示之化合物}等之1種或2種以上。化學式(X-1)~(X-3)所表示之雙馬來酸酐縮亞胺化合物亦最好單獨使用。
    馬來酸酐縮亞胺化合物係部分構造(I)鍵結於含有烷撐氧化物構造之基，作為馬來酸酐縮亞胺化合物係列舉以下之化合物。
    在化學式中，R係烷撐基，最佳者為乙烯或1,2-丙烯，n係2~40程度之整數，最好是選擇該化合物顯示液體狀之程度之整數以及n之分布。該化合物係可以由大日本油墨化學工業(股)公司製之LUMICURE(註冊商標)MIA200而得到。
    其他可以使用之馬來酸酐縮亞胺化合物係列舉以下之化學式： 之化合物(3,4,5,6-四氫化酞醯亞胺乙基丙烯酸酯(tetrahydrophthaloimideethylacrylate))。
    前述馬來酸酐縮亞胺化合物亦可以單獨使用，並且，也可以組合2種以上而使用。
    本發明馬來酸酐縮亞胺化合物之含有量最佳者為相對於組成物之全重量0.1~50重量%，更佳為1~20重量%。在馬來酸酐縮亞胺化合物之含有量為該範圍內時，硬化速度呈良好。
    此外，本發明組成物中前述(甲基)丙烯化合物及馬來酸酐縮亞胺化合物係藉由加熱至規定之溫度而進行自由基之聚合，但是此時，也可以藉由僅1種之化合物而進行聚合，使其形成均聚物，並且，也可以聚合2種以上之化合物而形成共聚物。 <(c)硝基氧化合物及/或硫代羰基硫代化合物>
    本發明之組成物係包含硝基氧化合物及/或硫代羰基硫代化合物(以下，亦記載為成分(c))。成分(c)係一般在活性自由基聚合之際，作為用以控制成長反應或停止反應之控制劑之化合物。
    硝基氧化合物係指具有化學式(Ⅱ)所表示之硝基氧自由基部分構造之化合物或者是可以生成硝基氧自由基部分構造之化合物。化學式(Ⅱ)之硝基氧自由基部分構造係知道作為在透過硝基氧之活性自由基聚合反應(NMP：Nitroxide-Mediated radical Polymerization)，覆蓋聚合物成長末端之自由基之覆蓋劑。
    此外，硫代羰基硫代化合物具有化學式(Ⅲ)之構造，作為1種活性自由基聚合之可逆式加成分裂連鎖移動(RAFT：Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)聚合反應之連鎖移動劑。
    本發明之組成物使用於半導體裝置製造之狀態下，如下所述，該組成物例塗佈於配線基板上。此時，為了提高該組成物之流動性，因此，將該組成物也放置於室溫以上之狀態。藉由本發明之組成物係含有成分(c)，而充分抑制硬化反應之進行，不因後面之構裝製程而降低作業效率。本發明人推測：以此產生組成物中之自由基，可藉由成分(c)之自由基構造使自由基種生長，呈可逆地鈍化，而抑制硬化反應之進行。接著，本發明之組成物不被隨後較高溫度之硬化反應所抑制，並且，在硬化後之組成物之物性，亦無問題發生。
    本發明之組成物，成分(c)之含有量係在組成物之全重量中，最佳為0.001~5重量%、更佳為0.01~1重量%。此外，本發明之組成物係最佳者為包含後面敘述之熱自由基起始劑，在該狀態下，起始劑和成分(c)之莫爾數比(起始劑：成分(c))最佳為1：0.001~1：10，更佳為1：0.01~1：1。在成分(c)之含有量為該範圍內之時，於組成物之反應性或物性，無問題發生。
    具有硝基氧自由基部分構造之化合物係並無限定，列舉2,2,5-三甲基-4-苯基-3-吖己烷-3-硝基氧、2,2,6,6-四甲基-1-哌啶氧基自由基(TEMPO)、2,2,6,6-四乙基-1-哌啶氧基自由基、2,2,6,6-四甲基-4-氧代-1-哌啶氧基自由基、2,2,5,5-四甲基-1-吡咯烷氧基自由基、1,1,3,3-四甲基-2-異吲哚滿氧基自由基、N,N-二-t-丁基胺氧自由基等。
    作為生成硝基氧自由基部分構造之化合物係列舉下列之通式(Ⅳ)所表示之烷氧基胺化合物。
    R1-O-N(R2)(R3) (Ⅳ)
    (在此，R1、R2、R3係有機殘基，R2和R3係可以形成環狀構造。)
    作為前述之通式(Ⅳ)所表示之烷氧基胺化合物係列舉例如記載於Didier Benoit等之論文(J.Am.Chem.Soc.1999,121,3904~3920頁)等下列之烷氧基胺化合物。

    這些化合物可由Aldrich公司之市面販賣品而得到，並且，也可以藉由習知之方法進行合成。
    作為硫代羰基硫代化合物例如述於日本特表2004-518773號公報之化合物。具體地說，並無特別限定，但是，例如2-氰基-2-丙基苯并二硫代酸酯、4-氰基-4-(苯基碳硫醯硫)戊烷酸、2-氰基-2-丙基十二烷基三硫代碳酸酯、4-氰基-4-[(十二烷基磺胺硫代羰基)磺胺]戊烷酸、2-(十二烷基硫代碳硫醯硫)-2-甲基丙酸、氰基甲基十二烷基三硫代碳酸酯、氰基甲基甲基(苯基)胺基甲醯二硫代酸酯、雙(硫代苯醯)二硫醚、雙(十二烷基磺胺硫代羰基)二硫醚等。這些可以由Aldrich公司之市面販賣品而得到。
    本發明之組成物，作為成分(c)係可以單獨使用1種化合物，並且，也可以組合2種以上之化合物使用。 <填充物>
    本發明之組成物係包含填充物。可以藉由練合填充物而得到線膨脹係數低、尺寸安定性良好且改善難燃性之電子裝置用組成物。填充物係可以配合用途而選擇絕緣性無機填充物或導電性無機填充物之任何一種。作為絕緣性無機填充物係列舉二氧化矽、矽酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化鋁、氮化硼等，特別最佳為二氧化矽。作為導電性無機填充物係列舉金屬或碳黑。
    此外，填充物係可以配合需要用於進行表面改質者。市面販賣品係列舉例如三菱化學之「三菱碳黑」系列、旭碳之「旭」系列、河合石灰工業之矽酸鈣「PCM光」系列、氫氧化鋁「ALH」系列、氧化鋁系「Cerasur」、堺化學工業之氧化鈦「STR系列」、二氧化矽「Sciqus系列」、氧化鋅「FINEEX系列」、氧化鎂「SMO系列」、氧化鋯「STR系列」、Admatechs公司之二氧化矽、氧化鋁「Admafine」系列、日產化學工業之二氧化矽「Snow Tex」系列、CI化成之包含二氧化矽或氧化鋁之金屬氧化物「NanoTek」系列等。
    使用本發明之組成物例如製造半導體裝置狀態下，填充物之平均粒徑係最佳為小於半導體晶片元件形成面和配線基板之間隙尺寸。當填充物之平均粒徑過度大之時，於製造半導體裝置之際，填充物係進入至金屬連接間，使其無法得到良好之電可靠性，或是破壞晶片。
    填充物之練合量係可以配合用途而進行調整，例如最佳是相對於接著劑組成物之全重量為1~99重量%、更加理想是10~80重量%。於前述範圍內，可以充分得到因填充物之添加產生之效果，並且在處理性黏度無問題之組成物。 <自由基起始劑>
    本發明之組成物係最好是包含自由基起始劑，更加理想是包含熱自由基起始劑。作為熱自由基起始劑係最好是有機過氧化物，選擇在適當之溫度來產生自由基者。
    自由基起始劑係並無特別限定，但是，列舉例如二異丁基過氧化物、枯烯基過氧化新癸酸酯、二-n-丙基過氧化碳酸酯、二異丙基過氧化碳酸酯、二-sec-丁基過氧化碳酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化新癸酸酯、二(4-t-丁基環己基)過氧化二碳酸酯、二(2-乙基己基)過氧化二碳酸酯、t-己基過氧化新癸酸酯、t-丁基過氧化新癸酸酯、t-丁基過氧化新庚酸酯、t-己基過氧化特戊酸酯、t-丁基過氧化特戊酸酯、二(3,5,5-三甲基六壬基)過氧化物、二月桂醯過氧化物、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化-2-乙基己酸酯、二琥珀酸過氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基六壬基過氧化)己烷、t-己基過氧化-2-乙基己酸酯、二(4-甲基苯醯)過氧化物、t-丁基過氧化-2-乙基己酸酯、二苯醯過氧化物、1,1-二(t-丁基過氧化)-2-甲基環己烷、1,1-二(t-己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-二(t-己基過氧化)環己烷、1,1-二(t-丁基過氧化)環己烷、2,2-二(4,4-二-(t-丁基過氧化)環己基)丙烷、t-己基過氧化異丙基單碳酸酯、t-丁基過氧化順丁烯二酸、t-丁基過氧化-3,5,5-三甲基己酸酯、t-丁基過氧化月桂酸酯、t-丁基過氧化異丙基單碳酸酯、t-丁基過氧化2-乙基己基單碳酸酯、t-己基過氧化苯甲酸酯、2,5-二-甲基-2,5-二(苯醯過氧化)己烷、t-丁基過氧化乙酸酯、2,2-二(t-丁基過氧化)丁烷、t-丁基過氧化苯甲酸酯、n-丁基-4,4-二-(t-丁基過氧化)戊酸酯、二(2-t-丁基過氧化異丙基)苯、二枯烯基過氧化物、二-t-己基過氧化物、t-丁基枯烯基過氧化物、二-t-丁基過氧化物、p-萜烷氫化過氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(t-丁基過氧化)己烷-3,3,5-二異丙基苯氫化過氧化物、1,1,3,3-四甲基丁基氫化過氧化物、枯烯氫化過氧化物、t-丁基氫化過氧化物、2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷等。這些有機過氧化物係構自Akzo Nobel公司、Gio specialities化學公司、Arkema公司、日油股份有限公司、Akzo化藥股份有限公司等。這些係可以單獨使用，也可以併用2種以上。
    自由基起始劑之練合量最佳是相對於組成物之全重量而成為0.01~10重量%、更加理想是0.1~5重量%。熱自由基起始劑之練合量為前述之範圍內時，塗佈組成物時之安定性，無問題發生，並且，也無硬化時間需要長時間之問題。
    除了前述之成分以外，本發明之組成物係需要含矽烷偶合劑、橡膠成分、氧化防止劑、耐光安定劑、自由基安定化劑、界面活性劑等之添加劑。藉由矽烷偶合劑、橡膠成分提高組成物之接合性，並且，具有緩和應力或者是減少反應硬化物之彎曲等優點。此外，氧化防止劑、自由基安定化劑係用於延長適用期之狀態。界面活性劑係也可以添加於改善塗佈時之消泡或對於塗佈對象之潤濕性或者是矯平性之狀態。
    藉由矽烷偶合劑，練合於組成物中，而提高接著劑之接合性。
    作為矽烷偶合劑係並無特別限定，但是，列舉例如胺基矽烷偶合劑、環氧矽烷偶合劑、脲基矽烷偶合劑、異氰酸酯矽烷偶合劑、乙烯基矽烷偶合劑、(甲基)丙烯矽烷偶合劑、酮亞胺矽烷偶合劑等，其中，亦最佳為異氰酸酯矽烷偶合劑、(甲基)丙烯矽烷偶合劑、環氧矽烷偶合劑。這些矽烷偶合劑係購自Toray Dow Corning公司、信越矽酮公司、松本精密化學公司或東京化成工業公司等。
    矽烷偶合劑之練合量係可以適度地調整，例如最佳是相對於組成物之全重量為0~10重量%、更加理想是0~5重量%。矽烷偶合劑含有量過多時，於覆晶工法之加熱壓合接合之際，由於氣化矽烷偶合劑使其產生空隙。
    橡膠係並無特別限定，列舉例如丙烯橡膠、腈橡膠、丁二烯橡膠、腈丁二烯橡膠等之橡膠製品或低分子量之橡膠用交聯劑。橡膠製品之市面販賣品係列舉例如根上工業公司製之「Paracron RP」系列、Ganz化成公司製之「Stafiloid IM」系列或「Stafiloid AC」系列、ZEON化成公司製之「ZEON」系列、三菱人造絲公司製之「Metablen C/E/W/S/SXSRX」系列。作為低分子量之橡膠用交聯劑之市面販賣品係列舉例如SARTOMER公司製之「Ricon」系列、出光公司製之「poly bd」、「poly ip」系列、「epole」系列、「KRASOL」、日本曹達公司製之「NISSO-PB」系列等。這些係可以單獨地使用，也可以併用2種以上。
    此外，也可以使用預先分散橡膠粒子之丙烯系樹脂之市面販賣品，列舉例如根上工業公司製之Paracron SN-50、AS-3000、ME-2000、W-1163、W-248E、W-197C、Precoat 200、Panglong S-2012。
    橡膠之練合量係可以適度地調整，例如最佳是相對於接著劑組成物之全重量為0~30重量%、更加理想是0~20重量%。橡膠含有量過多之時，則因過度增加接著劑組成物之黏度而使得處理性變差，或者是不容易混合於其他成分，或者是接著劑之接合性變差等之問題發生。
    作為氧化防止劑、自由基安定化劑係列舉例如氫醌類、苯醌類、受阻苯酚類，作為耐光安定劑係列舉例如苯并三唑系、三嗪系、二苯甲酮系、苯甲酸酯系、受阻胺系紫外線吸收劑等。界面活性劑係依目的選擇市面販賣之型錄。 <電子裝置用組成物之製造方法>
    本發明之組成物係可以加入前述之各成分以及配合需要之溶劑均勻混合獲得。組成物係可以在使用時，調整成為能夠藉由分配器等塗佈裝置而進行塗佈之黏度，也可以是無溶劑。此外，透過調整組成物中之化合物之選擇以及練合量亦可調整黏度。本發明之組成物係並無特別限定，例如藉由單獨使用或併用勻化分配器、萬能攪拌器、班伯里(Bumbury)攪拌器、捏和機、2條壓輥、3條壓輥、擠壓機等之習知之各種混練機，均勻地混練規定量之各成分，而進行製造。該練機係於常溫或加熱、常壓、減壓或惰性氣體氣流等條件下進行。
    本發明之電子裝置用組成物係並無特別限定，但是，最好是使用在電子裝置用密封劑。在此，作為密封劑係列舉包含半導體晶片之電子裝置之底膠材(密封材)、絕緣用清漆、印刷電路基板用絕緣材料、印刷電路基板用含浸樹脂、電子裝置用塗佈劑、電子裝置用裝瓶劑、電子裝置用接著劑等，本發明特別最好是作為底膠材。 <電子裝置及其製造方法>
    次之，依包含本發明之組成物之電子裝置之製造方法進行說明。電子裝置之製造方法係並無特別限定，但是，最佳為用於覆晶工法。於覆晶工法時，本發明之組成物特別最佳為塗佈於配線基板之電路面上。作為電子裝置之製造方法包含例如(1)本發明之組成物配線基板之電路面上之塗佈製程；以及(2)塗佈於配線基板組成物之上，配置半導體晶片，並進行半導體晶片和配線基板之電連接以及其間隙之密封之接合．密封製程。以下，就各製程而進行說明。 <(1)塗佈製程>
    在塗佈製程，將本發明之組成物塗佈於配線基板之電路面上。該組成物係可以塗佈於配線基板表面上之整體，並且，也可以僅塗佈在搭載半導體晶片之部分。塗佈方法列舉藉由旋轉塗佈器、分配器、滾筒等而進行塗佈之方法或者是網版印刷等。此外，為了提高組成物之流動性，因此，可以配合需要將使用於塗佈製程之注射器或基板等加溫至室溫以上之溫度。 <(2)接合．密封製程>
    在接合．密封製程，進行半導體元件和配線基板之電連接，同時，藉由本發明之組成物密封半導體元件和電路基板之間隙，製造電子裝置。首先，在配線基板上之塗佈接著劑組成物之部分，配置半導體晶片。同時，進行對位而使得配線基板之電路面(即前述塗佈製程所塗佈組成物之面)和半導體晶片之元件形成面呈對向。次之，進行加熱壓合接合。在加熱壓合接後，以硬化接著劑組成物為目的持續進行加熱。加熱壓合接合之方法一般使用為：使用覆晶接合器進行對位之後，直接進行加熱壓合之方法；或者是使用重熔爐等對於端部對位．臨時搭載者，進行加熱連接之方法。此時，使用適合於封裝或密封法之熱輪廓。此外，晶片之搭載，不僅是覆晶接合器，也可以藉由模接合器等能夠對位者，而進行取代。
    在進行加熱壓合接合時之溫度係並無特別限定，但是，在電極為銲錫凸塊或銲錫裝設凸塊之狀態下，最好是高於其熔點、更加理想是高於其熔點10~100℃之溫度，最佳為200℃以上，更加理想是210~300℃。進行加熱壓合接合之時間係最佳為1~20秒鐘，壓力係最佳為0.1~7MPa。此外，在加熱壓合接合之後，為了完成接著劑組成物之硬化仍進行加熱之時，最好是150~220℃、30~180分鐘。
    藉由前述而得到之電子裝置係可以使用於行動電話、個人電腦、電視等利用半導體晶片許多電子機器。 【實施例】
    以下，將根據實施例而更加詳細說明本發明。但是，本發明係非侷限下列之實施例。
    以下實施例及比較例使用之化合物而顯示於表1。
    以下實施例、比較例之裝置等係如下所述。
    (1)電路基板：Waltz股份有限公司製之WALTS-KIT MB50-0102JYCR；襯墊為CuOSP規格。
    (2)半導體晶片：Waltz股份有限公司製之WALTS-TEG MB50-0101JY；搭載由Cu柱墩和銲錫而組成之凸塊544個。
    (前述之(1)電路基板和(2)半導體晶片係藉由兩者之連接而構成菊花瓣(daisy chain)，在連接晶片內之全部之凸塊時，可以進行導通。也就是說，即使是544個凸塊內其一無法連接的話，則可藉由導通試驗而顯示絕緣性。) <底膠接著劑組成物之調製>
    藉由以下方法混合各成分，調製接著劑組成物。於各實施例及比較例，練合之化合物及其練合量(重量%)係如表2所示。
    <實施例1> (組成物之調製)
    如表2所示之化合物為各練合量，藉由3條壓輥均勻進行混練。在真空中，對於這個進行除氣，調製接著劑組成物A。
    在120℃之烤爐中對於電路基板進行1小時之加熱後，使用自動分配器在電路基板上，塗佈前述組成物A，得到塗佈接著劑組成物A之電路基板B。 (電子裝置之構裝)
    得到電路基板B之即刻後(放置時間0分鐘)或於80℃之加熱板上放置15分鐘、30分鐘、45分鐘、60分鐘或90分鐘之後，使用具備脈衝加熱機能之覆晶接合器，進行半導體晶片和電路基板B之對位、壓接，接著，藉由脈衝加熱至240℃，進行熱壓合。然後，藉由烤爐設定在150℃、1小時，硬化組成物A得到電子裝置C。 (導通試驗)
    調查前述得到電子裝置C之導通性時，在80℃之加熱板上放置時間即使是任何一種狀態，也使得導通性呈良好(表3)。也就是說，將半導體晶片上544個之凸塊全部連接。因此，實施例1之組成物係顯示即使是放置在80℃之加熱板上，仍保持可作業之液體狀性。
    <實施例2~12>
    除了如表2改變練合於組成物之各成分以外，其餘藉由相同於實施例1之同樣方法而製造電子裝置。即使是在實施例2~12，也在80℃放置塗佈組成物之電路基板0分鐘、15分鐘、30分鐘、45分鐘、60分鐘、90分鐘之後，可製造電子裝置而調查導通性。結果，全部之狀態皆得到良好之導通性。因此，實施例2~12之組成物顯示即使是放置在80℃之加熱板上，也保持可作業之液體狀性。 <比較例1>
    如表2改變練合組成物之各成分，不練合馬來酸酐縮亞胺化合物和成分(c)，藉由相同於實施例1之同樣方法製造電子裝置。即使是比較例1，也在80℃放置塗佈組成物之電路基板0分鐘、15分鐘、30分鐘、45分鐘、60分鐘、90分鐘之後，可製造電子裝置而調查導通性。結果，電子裝置不放置於80℃(放置時間0分鐘)製造出電子裝置之導通性呈良好反應，但是，這個以外之狀態則全部無法得到導通性(表4)。因此，比較例1之組成物顯示藉由放置於80℃而進行組成物之硬化，無法得到良好之導通性。
    <比較例2>
    如表2改變練合組成物之各成分，不練合成分(c)，藉由相同於實施例1之同樣方法而製造電子裝置。即使是比較例2，也於實施例1之同樣方法而調查導通性。結果，電子裝置不放置於80℃(放置時間0分鐘)製造出電子裝置之導通性呈良好反應，但是，這個以外之狀態(放置於80℃之狀態)則全部無法得到導通性。比較例2之組成物也證實藉由放置於80℃而進行組成物之硬化，無法得到良好之導通性。 <比較例3>
    如表2改變練合組成物之各成分，使用成為聚合禁制劑之苯醌來取代成分(c)，藉由相同於實施例1之同樣方法而製造電子裝置。即使是比較例3，也與實施例1之同樣方式調查導通性。結果，電子裝置不放置於80℃(放置時間0分鐘)製造出電子裝置之導通性呈良好反應，但是，這個以外之狀態(放置於80℃之狀態)則全部無法得到導通性。比較例3之組成物也證實藉由放置於80℃而進行組成物之硬化，無法得到良好之導通性。 <比較例4>
    如表2改變練合組成物之各成分，使用成為聚合禁制劑之氫醌來取代成分(c)，藉由相同於實施例1之同樣方法而製造電子裝置。即使是比較例4，也與實施例1之同樣方式而調查導通性。結果，電子裝置係不放置於80℃(放置時間為0分鐘)進行製造，其電子裝置之導通性呈良好反應，但是，在這個以外之狀態(放置於80℃之狀態)，全部無法得到導通性。證實：比較例4之組成物係也藉由放置於80℃而進行組成物之硬化，無法得到良好之導通性。
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種電子裝置用密封劑組成物，其特徵為，包含(a)具有2個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物、(b)馬來酸酐縮亞胺化合物和(c)硝基氧化合物及/或硫代羰基硫代化合物。
    [2] 根據申請專利範圍第1項之電子裝置用密封劑組成物，其中，還包含自由基起始劑。
    [3] 根據申請專利範圍第1項或第2項所述之電子裝置用密封劑組成物，其中，前述(b)之馬來酸酐縮亞胺化合物係包含雙馬來酸酐縮亞胺。
    [4] 根據申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之電子裝置用密封劑組成物，其中，使用作為底膠材。
    [5] 根據申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之電子裝置用密封劑組成物，其中，使用在覆晶構裝。
    [6] 一種電子裝置，其特徵為，包含申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之組成物。
    [7] 一種電子機器，其特徵為，包含申請專利範圍第6項所記載之電子裝置。
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